张战刚
,
刘杰
,
侯明东
,
孙友梅
,
苏弘
,
耿超
,
姚会军
,
罗捷
,
段敬来
,
莫丹
,
古松
,
刘天奇
,
习凯
,
翟鹏飞
,
曹殿亮
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.195
重离子实验结果表明，具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大，甚至超过单位翻转比例。单个离子径迹中的电荷可以沿着径向扩散数个微米，被临近的灵敏区收集后引起MBU。器件灵敏区的各向异性空间布局与离子入射方向共同影响测试器件的MBU图形特征。位线接触点的纵向隔离导致横向型成为主要的两位翻转图形；“L”型和“田”型分别是主要的三位翻转和四位翻转图形。最后，对SRAM抗MBU加固设计和实验验证方法进行了讨论。
关键词:
单粒子效应
,
静态随机存储器
,
各向异性布局
,
多位翻转
李睿
,
王俊
,
孔蔚然
,
马惠平
,
浦晓栋
,
莘海维
,
王庆东
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.014
本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理.通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致.TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻.我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽.
关键词:
静态随机存储器
,
单比特位失效
,
多晶硅栅耗尽
