王忠华
,
李振豪
,
普朝光
,
杨培志
,
林猷慎
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01223
采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜. 用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层, 在衬底PZT(seed layer)/Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射过量10%Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜. 采用在450℃预退火, 575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理. PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能, 热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为ρ=2.3×10-8C．cm-2·K-1, ε =500, tanδ =0.02, F d=0.94×10-5Pa-0.5.
关键词:
非制冷热释电红外探测器
,
lead zirconate titanate(PZT)
,
seed layer
,
rapid stepping-annealing
王忠华
,
李振豪
,
普朝光
,
杨培志
,
林猷慎
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.032
采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)/Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射过量10%Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜.采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理.PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为p=2.3×10-8C·cm-2.K-1,ε=500,tanδ=0.02,Fd=0.94×10-5Pa-0.5.
关键词:
非制冷热释电红外探测器
,
PZT
,
籽晶层
,
快速分级退火
