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磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

吴厚政 , 刘宜华 , 代由勇 , 张林 , 萧淑琴

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.10.016

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.

关键词: 巨磁阻抗效应 , 非晶态软磁钴基合金薄带 , 趋肤效应

磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

吴厚政 , 刘宜华 , 代由勇 , 张林 , 萧淑琴

金属学报

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.

关键词: 巨磁阻抗效应 , null

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