朱永福
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李牧菊
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杨柏梁
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刘传珍
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廖燕平
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袁剑锋
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刘雅言
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申德振
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.04.008
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积(PECVD)方法淀积的a-SiNx:H薄膜.分析了气体流量比(R)、衬底温度(Ts)以及射频功率(Prf)的变化对a-SiNx:H薄膜中SiH、 NH和NH2基团的吸收峰强度的影响, 同时研究了退火条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响.
关键词:
等离子体化学气相沉积
,
非晶氮化硅薄膜
,
红外光谱
