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TFT 栅极绝缘层和非晶硅膜层的 ITO 污染对电学特性影响的研究

王守坤 , 袁剑峰 , 郭会斌 , 郭总杰 , 李升玄 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153006.0930

本文对 TFT 在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中,透明电极 ITO 成分对膜层的污染和 TFT 电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO 成分会对 PECVD 设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染,并会影响 TFT 的电学特性。建议采用独立的 PECVD 设备完成 ITO 膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积,并且对设备进行周期性清洗,可降低 ITO 成分的污染和提高产品的电学性能。

关键词: 薄膜晶体管 , 化学气相沉积 , 栅极绝缘层 , 有源层 , 非晶硅膜 , 氧化铟锡 , 电学特性

TFT 有源层刻蚀均一性和电学性质的研究

王守坤 , 袁剑峰 , 郭总杰 , 郭会斌 , 刘杰 , 郑云友 , 贠向南 , 李升玄 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153005.0801

对 TFT 制作工艺中,TFT 有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT 电学特性的均一性。通过适当降低刻蚀功率及反应气体 SF6/Cl2的比例,同时,降低反应压强,可以改善有源层刻蚀的均一性。从而,TFT 电学特性的均匀性得到优化。

关键词: 薄膜晶体管 , 加强型阴极耦合等离子体 , 有源层 , 非晶硅膜 , 均一性

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