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过渡层对纳米非晶碳薄膜场发射性能的影响

姚宁 , 张兵临

人工晶体学报

采用微波等离子体化学气相沉积法在经研磨处理后的Si(111)面上制备出了纳米非晶碳薄膜.为改善薄膜的场发射性能,在研磨好的Si基底上运用直流磁控溅射法沉积了一层金属过渡层.本文分别选择三种常见金属:钛(Ti)、鉬(Mo)、镍(Ni)来作对比试验.结果发现用钛作为过渡层时薄膜场发射效果最好,主要表现为开启电场低,同一电场下发射电流大,发射点密度较大且分布均匀等.利用迭代法计算了钛作为过渡层时制备的纳米非晶碳薄膜的有效发射面积和功函数.

关键词: 非晶碳薄膜 , 过渡层 , 场发射 , 功函数

太阳电池用非晶碳薄膜在黑硅衬底上的生长

苏博 , 姚宁 , 鲁占灵 , 路钟杰 , 关瑞红

材料导报

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在黑硅和抛光单晶硅片衬底上生长非晶碳薄膜,其中变量为CH4流量,分别为10sccm、14sccm、18sccm、22sccm、26sccm.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射分析(XRD)、原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱表征了非晶碳薄膜的结构和形貌特征.结果表明,在650℃时随着CH4流量的逐渐增加,在平整的非晶碳薄膜上C-C的sp2相团簇颗粒的直径逐渐变大.AFM测试结果显示,非晶碳薄膜表面的平均粗糙度(Ra)为0.494nm.

关键词: 微波等离子体化学气相沉积 , 黑硅 , 非晶碳薄膜 , 太阳电池

TiC/a-C:H薄膜的性能研究

余宇楠 , 宋贵宏 , 沈波涛

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.03.008

在电弧离子镀技术沉积富碳TiC薄膜的过程中研究了不同乙炔流量对沉积膜的形貌、成分性能的影响.结果表明,利用电弧离子镀技术在铝合金衬底上能够成功的沉积出含有富碳的TiC膜层,并且沉积的薄膜与衬底的结合良好.实验表明,随沉积时乙炔流量的增大,膜层中C和Ti原子比逐渐增加,同时膜层成分由较纯的TiC结构的薄膜逐渐转变为含非晶碳的TiC膜层,在乙炔流量为50,100,150和200ml.min-1时,膜层的C和Ti的原子分数比分别为1∶1,9.5∶1.0,15∶1和19.4∶1.0.膜层中富余的碳是以非晶碳的形式存在的,TiC与非晶碳以一定量的配比使这层复合膜达到了较好的表面光洁度.

关键词: 电弧离子镀 , TiC薄膜 , 非晶碳薄膜

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