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磁控溅射法制备非晶IGZO透明导电薄膜

梁朝旭 , 李帅帅 , 王雪霞 , 李延辉 , 宋淑梅 , 杨田林

人工晶体学报

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了IGZO薄膜,研究了IGZO薄膜的性质和制备工艺条件.重点研究了射频功率对IGZO薄膜的结构特性、光电特性的影响以及厚度对薄膜电阻率的影响.制备的IGZO薄膜最高品质因子为1.94×10-3Ω-1,对应的薄膜电阻率和透过率分别为2.6×10-3Ω·cm和87.2%.

关键词: 磁控溅射 , IGZO , 非晶薄膜 , 透明导电膜

应力对非晶超磁致伸缩薄膜形变影响的理论计算

刘吉延 , 斯永敏

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.02.032

分析材料磁化过程中引起磁致伸缩的机理,考虑应力对磁化过程的影响,通过将应力作用等效为磁场,并假设非晶超磁致伸缩薄膜的低场磁化为可逆过程,根据能量最低原理,建立了磁致伸缩薄膜形变与应力之间的关系,给出了表达式.

关键词: 超磁致伸缩 , 非晶薄膜 , 应力 , 等效磁场

铀表面Ti-Nb-Ni非晶薄膜的结构和抗腐蚀性能研究

刘天伟 , 王小英 , 江帆 , 朱生发 , 唐凯 , 魏强

稀有金属材料与工程

利用非平衡多靶溅射沉积法在不同脉冲偏压、沉积速率下制备了Ti-Nb-Ni薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和电化学极化试验分析了薄膜结构和抗腐蚀性能.结果表明,在0V偏压下,当Ti:Nb:Ni沉积速率比为3:1.5:1.5时,为晶化薄膜:而当Ti沉积速率的控制电流在5~7 A范围内,Nb、Ni沉积速率不变时,为非晶薄膜.对于沉积速率比为5:1.5:1.5的薄膜,当偏压从0 V增加到-2000 V时,薄膜组织的演化过程为非晶-弥散小晶粒-致密小晶粒-大颗粒晶粒.电化学极化试验表明,利用非晶化和晶化复合工艺获得的Ti-Nb-Ni薄膜具有更好的耐腐蚀性能.

关键词: U , Ti-Nb-Ni , 非晶薄膜 , 结构 , 电化学极化

离子束辅助沉积制备的铁锆多层膜中的相演化

丁珉 , 曾飞 , 潘峰

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.04.006

研究了用氩离子束辅助沉积(IBAD)技术制备的铁/锆多层膜中的微结构演化规律.实验中所使用的氩离子能量范围为4keV到12keV,束流密度为12 μA/cm2.实验结果表明,用IBAD技术可在富锆端制备出完全非晶化的薄膜.对于Fe(0.54nm)/Zr(4.5nm)多层膜,随Ar离子能量的增加,在薄膜中还观察到晶态-非晶-亚稳fcc相-非晶-晶态的结构转变.对于富铁合金膜,IBAD技术仅能制备部分非晶化的薄膜.

关键词: 离子束辅助沉积 , 非晶薄膜 , 铁-锆合金

Fe-Zr-B非晶磁性薄膜的制备与研究

徐炜新 , 程新利 , 金惠娟 , 许裕生

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2002.04.006

用X-射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱、穆斯堡尔谱研究了直流磁控溅射法制备的Fe-Zr-B薄膜.用振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能.X-射线衍射和透射电镜结果表明,制备态的薄膜是非晶的;X射线光电子能谱结果表明样品表面氧化较明显,深层部分Fe,Zr,B结合占主导地位;穆斯堡尔谱结果表明薄膜中Fe原子周围Zr,B原子的存在使Fe原子核内场值有所下降并导致超精细场分布P(H)出现双峰结构,薄膜中存在两种不同的局域微结构.

关键词: Fe-Zr-B合金 , 非晶薄膜 , 直流磁控溅射

基于非晶软磁层的巨磁电阻单元性能研究

张祖刚 , 张万里 , 文岐业 , 唐晓莉 , 张怀武

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.010

采用剥离工艺制备了单元大小为10μm×18μm的CoNbZr/Co/Cu/Co和NiFe/Co/Cu/Co多层膜结构的3×3自旋阀单元阵列,并测试了自旋阀单元的静态和动态巨磁电阻特性.结果表明CoNbZr层对快速磁场变化具有良好的线性响应特性.与NiFe/Co/Cu/Co自旋阀单元相比,微米尺度的CoNbZr/Co/Cu/Co自旋阀单元具有更良好的自旋电子特性,可以应用到包括MRAM器件在内的自旋电子器件中.

关键词: 自旋阀 , 巨磁电阻 , 非晶薄膜

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