许业文
,
何忠伟
,
徐政
,
孙丹峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.014
概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能"三参数"(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素.用低压ZnO压敏电阻的基本配方,以及在此基础上分别添加Co2O3、MnCO3、Co2O3+MnCO3四种配方制备样品作对比实验.发现Co2O3、MnCO3掺杂后都能引起压敏电压梯度升高,非线性系数显著提高,漏电流明显降低,且效果Co2O3+MnCO3大于MnCO3大于Co2O3.对造成上述差别的原因进行了深入分析.
关键词:
钴和锰掺杂
,
低压ZnO压敏电阻
,
压敏电压梯度
,
非线性系数
,
漏电流
孟凡明
,
胡素梅
,
傅刚
,
周方桥
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.027
研究Ta2O5对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响,发现按配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.1%Ta2O5配制的样品具有最低压敏电压(E10mA=1.2V·mm-1)、最大相对介电常数(εra=2.002×105)及较小非线性系数(a=2.6).考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求,Ta2 O5最佳掺杂量在0.085mol%与0.1mol%之间.
关键词:
TiO2基压敏陶瓷
,
压敏电压
,
非线性系数
,
介电常数
潘波
硅酸盐通报
本文根据全矢量模型首先对背景材料取为 silica 材料的六角形光子晶体光纤(PCF)结构,在不同空气孔直径下对基模非线性系数的影响进行数值研究,在此基础上,进一步将光子晶体背景材料折射率取为 -1.45 进行仿真数值研究,探究负折射率介质材料在不同空气孔直径下对基模非线性系数影响的物理规律性,数值研究发现,无论背景材料的折射率为正,还是为负,增大空气孔的直径d都会使非线性系数增大;不同的是,当背景材料取为负折射率材料时,会出现负的非线性系数,这将对设计不同要求的非线性微结构光纤提供有效的理论依据.
关键词:
光子晶体光纤
,
负折射率材料
,
非线性系数
,
全矢量模型
王晓雪
,
李涛
,
陈镇平
材料导报
以稀土氧化物Eu2O3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(x=0、0.2％、0.5％、1％(质量分数))的CaCu3Ti4O12(CATO)陶瓷样品.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对掺杂样品的微观形貌变化进行测量分析；利用一直流高压电源测试样品的J-E非线性特征；利用Anglent4294型精密阻抗分析仪测试样品的电介性能.掺杂后样品的晶格结构并未发生明显的改变,但是平均晶粒尺寸减小,晶界处富Cu相消失；纯CCTO的XRD图谱中出现了富Cu相,掺杂样品的图谱中并未出现上述杂相；Eu2O3掺杂提高了样品内部的肖特基势垒高度,增加了势垒阻挡层的数目,使得样品的压敏电压和非线性系数明显提高,材料的压敏电阻性明显改善,电介-频率稳定性增强.
关键词:
非线性系数
,
压敏电压
,
电介常数
,
肖特基热垒
臧国忠
,
王矜奉
,
陈洪存
,
苏文斌
,
王文新
,
亓鹏
,
王春明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.018
研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响.当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493V/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因.对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释.掺杂0.15mol% Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景.
关键词:
压敏电阻
,
二氧化锡
,
势垒高度
,
非线性系数
郭磊
,
宁叔帆
,
于开坤
,
李红岩
,
赵丽华
,
刘斌
,
陈寿田
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2005.03.019
综述了碳化硅非线性导电特性的意义和碳化硅材料的特性、非线性导电特性的测试及计算方法,讨论了α-SiC和β-SiC的非线性导电特性及其影响因素.前人研究结果表明,对于α-SiC,颗粒越粗,电阻率ρ 0越低、非线性系数β越大;颗粒越细,电阻率ρ 0越高、非线性系数β越小;不同种类,不同工厂生产的碳化硅的电阻率ρ 0和非线性系数β是不同的;α-SiC制成防晕带后电阻率升高,β值下降,颗粒越粗,β值下降越大;防晕带与粉料的非线性性质有相似的规律 ,而β-SiC具有比α-SiC低得多的电阻率和较大的非线性系数,并且其电阻率和非线性系数受到粉料的粒径、合成温度和涂层有机物含量等因素的直接影响.
关键词:
碳化硅
,
电阻率
,
非线性系数
,
应用
罗绍华
,
唐子龙
,
李红耘
,
闫俊萍
,
张中太
,
熊西周
稀有金属材料与工程
通过对样品压敏性能和介电性能的测定,研究了CeO2对Nb-TiO2电容-压敏电阻器的影响.研究发现,晶界处硅钛酸铈相的生成使CeO2对Nb-TiO2电容-压敏电阻的性能有显著的影响.在1 350℃烧结条件下,掺杂量为0.4 mol%CeO2的样品表现出优良的综合电性能,其压敏电压为15.84 V/mm,非线性系数α为4.62,并具有很高的相对介电常数(εγ=158 600),较低的介电损耗(tgδ=0.32),是1种具有较好潜力的新型电容-压敏电阻器.
关键词:
二氧化钛压敏电阻器
,
二氧化铈
,
压敏电压
,
非线性系数
,
复合功能
于开坤
,
宁叔帆
,
赵丽华
,
刘斌
,
陈寿田
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2004.04.007
为开发优良的防电晕材料,利用电阻率较小、非线性系数较大的β-碳化硅(β-SiC)加入α-碳化硅(α-SiC)防晕体系,结果表明随加入量的增加,电阻率降低,从不掺杂β-SiC时的7.89×107Ω·m,降低至β-SiC掺入量为7.5%时的1.34×107Ω·m,而非线性系数增加,从不掺杂β-SiC时的1.527提高至β-SiC掺入量为7.5%时的1.695,该防晕体系用于大电机定子线棒时,起晕电压提高了353%,达到了实际应用的要求.
关键词:
α-碳化硅
,
β-碳化硅
,
防电晕材料
,
起晕电压
,
非线性系数
