宋建全
,
刘正堂
,
于忠奇
,
耿东生
,
郑修麟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.10.004
利用射频磁控反应溅射法,以Ar,CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜,用干涉法测量了薄膜的厚度,对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究.结果表明,GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降,甚至略有提高,而且Ge原子百分比可以任意变化,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关.这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义.
关键词:
沉积速率
,
磁控反应溅射
,
靶中毒
,
原子百分比
