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Lateral Epitaxy Overgrown (LEO) GaN 导热系数的数值研究

于新刚 , 梁新刚

工程热物理学报

利用修正的Callaway模型对含杂质、位错、以及同位素的LEO GaN的导热系数进行了研究,计算表明同位素对LEO GaN的导热系数影响较大,而位错和杂质大于一定值时其值才对导热系数产生影响.

关键词: 导热系数 , GaN , 驰豫时间