张修丽
,
孙晓慧
,
李明扬
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.01.004
恒塑性应变幅循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体出现驻留带(Persistent Slip Bands,PSBs).在铜的(0.3～0.5)TmK中温回复区内,对疲劳Cu单晶进行不同温度和时间的真空保温处理,观察PSBs结构在热激活条件下的变化及材料的寿命估计.结果显示,中温回复过程中,由于弹性力、渗透力与林位错阻碍力的交互作用促使PSBs中的位错通过空位的放出和湮灭而运动,并使PSBs的位错墙由弯曲到变细最后分段消失,位错密度快速下降.中温回复后材料寿命得到延长.
关键词:
驻留滑移带
,
中温回复
,
位错结构演变
,
疲劳Cu单晶
肖素红
,
吴世丁
金属学报
对含驻留滑移带（ＰＳＢ）的「１２３」取向的疲劳Ｃｕ单晶体, 进行了高密度脉冲电流处理, 结果表明, 高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了ＰＳＢ－基体界面的应力集中状态, 使驻留滑移带局部消失, 理论计算同时表明, 高密度脉冲电流处理能提高Ｃｕ单晶疲劳寿命.
关键词:
驻留滑移带
,
null
吴彦欣
,
米振莉
,
江海涛
,
唐荻
,
吴海鹏
,
薛瑶
材料热处理学报
通过采用扫描电镜及透射电镜等手段,观察并研究了TWIP钢在低周单轴循环对称拉压载荷下的疲劳断裂后的显微组织.结果表明:TWIP钢矩形试样的疲劳裂纹一般萌生于角部,从表面萌生时可能表现为多个疲劳源.在低周疲劳变形过程中,TWIP钢不但产生了形变孪晶,还产生了大量的微条带,其实质为细微孪晶片层和驻留滑移带.疲劳裂纹主要萌生于微条带对晶界和孪晶界的撞击引发的孔洞.孔洞串连接起来成为裂纹,夹杂物促进了裂纹扩展.随着裂纹的扩展,试样的承载面积不断减小,最终发生快速的韧性断裂.
关键词:
TWIP钢
,
低周疲劳
,
孪晶
,
驻留滑移带
,
裂纹萌生
段启强
,
张辉
,
莫春立
,
张哲峰
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.05.001
对含有退火孪晶的多晶铜进行了不同塑性应变幅下的应变疲劳实验,利用扫描电镜及其电子通道衬度技术(SEM-ECC)观察了表面滑移形貌、疲劳裂纹和位错组态,研究了驻留滑移带与晶界和孪晶界的交互作用.结果表明,在晶界附近和远离晶界处观察到位错组态分布的不均匀现象.这种不均匀性导致多晶铜中疲劳裂纹首先沿着普通大角晶界开裂,在孪晶界处由于应变相容性较好而难以产生疲劳裂纹.
关键词:
材料科学基础学科
,
应变疲劳
,
驻留滑移带
,
晶界
,
疲劳裂纹
郭小龙
,
申勇峰
,
卢磊
,
李守新
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.12.010
对含有高密度孪晶的多晶铜进行了塑性应变幅控制下的疲劳实验.结果表明,塑性应变幅小于8.14×10-4时,孪晶对疲劳行为的影响不大;塑性应变幅大于8.14×10-4时,孪晶的约束作用、孪晶界与位错的反应及孪晶中位错的特殊组态,使多晶铜的循环饱和应力提高,硬化曲线中应力饱和平台区延长.
关键词:
Cu
,
孪晶
,
疲劳
,
位错组态
,
驻留滑移带
朱荣
,
李守新
,
李勇
,
李明扬
,
晁月盛
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.05.005
在循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体首先出现驻留滑移线(PSL),然后随着循环周次的增加转变为驻留滑移带(PSB).在不同温度、不同时间条件下对疲劳Cu单晶进行真空退火处理,观察PSB结构在热激活条件下的变化情况.结果表明,退火处理过程中由于空位浓度差异所产生的渗透力促使位错运动,并使PSB的某些部位逐步细化,以至消失.实现了PSB的分段相消.在退火过程中由于应变能的逐步释放,未观察到再结晶现象.
关键词:
Cu单晶体
,
驻留滑移线
,
驻留滑移带
,
渗透力
,
分段相消
张哲峰
,
段启强
,
王中光
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.11.005
对Cu单晶体、双晶体和多晶体疲劳损伤微观机制的总结结果表明:在中、低应变范围Cu单晶体的疲劳裂纹主要沿驻留滑移带萌生,而在高应变范围则沿粗大形变带萌生;Cu双晶体中疲劳裂纹总是优先沿大角度晶界萌生和扩展,而小角度晶界则不萌生疲劳裂纹;对于Cu多晶体,疲劳裂纹主要沿大角度晶界萌生,有时也沿驻留滑移带萌生,而孪晶界面两侧由于滑移系具有相容的变形特征而未观察到疲劳裂纹萌生.
关键词:
Cu晶体
,
疲劳裂纹
,
驻留滑移带
,
形变带
,
晶界
肖素红
,
周亦胄
,
吴世丁
,
姚戈
,
李守新
,
周本濂
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.12.002
对含驻留滑移带(PSB)的[123]取向的疲劳Cu单晶体,进行了高密度脉冲电流处理结果表明,高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了PSB-基体界面的应力集中状态,使驻留滑移带局部消失.理论计算同时表明,高密度脉冲电流处理能提高Cu单晶疲劳寿命.
关键词:
驻留滑移带
,
脉冲电流
,
热压应力
李小武
,
王中光
,
李守新
金属学报
本文系统测量并总结了不同类型双滑移取向铜单体循环变形中滞后回线性形状参数ＶＨ随循环周次Ｎ的变化关系, 结果表明, 与单滑移晶体不同晶体取向双滑移晶体的滞后回线形状变化趋势有显著的影响, ＶＨ与驻留滑移带（ＰＳＢ）的形成有无明业对应关系与该取向单晶体的循环应力－应变（ＣＳＳ）曲线有无平台区或准平台区出现密切相关.
关键词:
铜单晶体
,
null
,
null
,
null
