李惠琴
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陈晓勇
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王成
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穆继亮
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许卓
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杨杰
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丑修建
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薛晨阳
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刘俊
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.02.012
原子层沉积( ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术，具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点，适用于纳米多孔和高深宽比基底材料，可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备，广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理，介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展，涉及半导体微纳集成电路、微纳光学器件、微纳米生物医药等高新技术领域，对ALD技术当前存在的问题进行了分析，并展望了未来发展方向。
关键词:
原子层沉积
,
薄膜技术
,
高深宽比结构
,
纳米多孔结构
,
微纳结构器件
