李玉海
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黄晓莹
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王承志
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李颖
材料研究学报
研究了SiC颗粒在927℃、1027℃和1127℃空气中的高温氧化动力学.结果表明,温度越高SiC颗粒的氧化速率常数越大,氧化反应越容易进行;SiC颗粒的高温氧化分为氧化前期和氧化后期两个阶段.氧化前期的反应速率受界面化学反应的控制;氧化后期受扩散控制,其表观活化能远比氧化前期的大.SiC颗粒的高温氧化过程符合两个阶段式模型:氧化前期的氧化速率常数k_c=143.37exp(-70994/RT(mg·m~(-2)·min~(-1)),氧化后期的氧化速率常数后k_D=3.61×10~8exp(-192758/RT)(mg·m~(-2)·min~(-1)).
关键词:
材料科学基础学科
,
SiC颗粒
,
高温氧化动力学
,
氧化速率
