王刚
,
杨虹
,
凌志华
,
杨柏梁
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.002
提出了一种有效提高开口率的新型黑矩阵方式的设计思想. 与传统黑矩阵相比, 在不增加工序和增大工艺难度的基础上, 提高了开口率. 同时, 通过对黑矩阵尺寸的优化设计,得到了较好的视角特性. 将这种方式的黑矩阵应用于40.9cm(16.1英寸)SXGA(1 280×3RGB×1 024)全彩色液晶显示屏, 可使开口率提高6%.
关键词:
黑矩阵
,
对比度
,
开口率
,
视角特性
靳福江
,
卢兵
,
朱凤稚
,
罗峰
,
柳星
,
代伟男
,
刘华
,
范峻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0521
介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0～1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3～0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5～2.0 pm,达到5.0～5.5 μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求.
关键词:
黑矩阵
,
线宽
,
相位移掩膜板
,
背面曝光
张锋
,
舒适
,
齐永莲
,
刘震
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0915
主要分析了黑矩阵残留程度与 SiNx、SiON、SiOx 等基底表面亲水特性的关系,研究了等离子体处理对基底表面亲水特性以及黑矩阵残留的影响。首先,通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对黑矩阵在不同基底表面的残留颗粒大小、表面粗糙度进行了测试。然后,使用接触角测试仪对不同基底表面的亲水特性进行了表征,分析了表面亲水特性和黑矩阵残留程度的关系。最后,研究了等离子体处理条件对基底表面亲水特性的影响,提出了采用 O2/He 等离子体对基底表面进行改性来解决黑矩阵的残留问题。实验结果表明：基底表面的水接触角越小、亲水性越强,黑矩阵在基底表面的残留越少；O2/He 等离子体表面处理使基底表面的水接触角从17°降低到3°,增强了基底表面的亲水特性,并且黑矩阵工艺之后基底表面的粗糙度从3.06 nm 降低到0.69 nm,消除了黑矩阵的残留。
关键词:
等离子体处理
,
亲水性
,
接触角
,
黑矩阵
