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金属Sn氧化薄膜的真空退火与原位XPS测量

严辉 , 马黎君 , 陈光华 , 黄世平 , 文华杰 , 郭伟民

无机材料学报

本文研究了在真空退火过程中金属Sn氧化薄膜表面L元素Sn和O的化学性质.利用X射线光电子能谱(XPS)的表面分析方法,发现在金属Sn氧化薄膜的表面上存在大量的吸附氧粒子(O-和O-2)提高真空退火温度,吸附氧粒子的数量增加;同时吸附氧粒子的负电性变弱.当退火温度低于350℃时,吸附氧粒子数量的增加是起因于SnO2Sn2O3的转变;在这种情况下,可以观察到Sn2O3是相对稳定的金属Sn氧化物,继续提高退火温度,达到400℃时,Sn金属Sn中的相对含量急剧增大,Sn金属Sn中相对含量增加的原因与金属Sn的价态Sn3+Sn0的转变相关在这个转变过程中伴随着O的释放和薄膜表面氧粒子的进一步堆积.与温度低于350℃时的退火条件相比,XPS的测量也发现,在400℃的退火温度下;SnO2相对于Sn2O3反而成为比较稳定的金属Sn氧化物.还讨论了金属Sn氧化薄膜表面上吸附氧粒子的吸附状态以及吸附状态与退火温度的关系.

关键词: 金属Sn氧化薄膜 , null , null

金属前驱体比例和硫化温度对Cu-Sn-S薄膜特性的影响

郭一欣 , 陈菲 , 任晓荣 , 程文娟

人工晶体学报

使用射频磁控溅射在镀Mo的玻璃基底上制备了Cu/Sn化学计量比为1.4 ~2.0的金属前驱体薄膜.经过400℃、450℃和500 ℃硫化后获得了一系列Cu-Sn-S薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱、原子力显微镜和紫外可见近红外分光光度计对样品进行了表征.结果表明:硫化温度与前驱体中Cu/Sn化学计量比对Cu-Sn-S薄膜的结构、化学组分和光学性能影响较大.当硫化温度为450℃,前驱体中Cu/Sn化学计量比为1.4∶1时,能得到近乎单一相、四方结构的Cu2SnS3薄膜,光学带隙为1.01 eV.过高的Cu/Sn化学计量比或硫化温度都会导致Cu3SnS4或Cu4SnS4的出现.

关键词: 磁控溅射 , Cu2SnS3 , 硫化 , 光学带隙

某些金属元素对Ag-Sn合金内氧化速度的影响

邓忠民 , 吕贤勇 , 郑福前 , 谢明 , 刘建良 , 施安

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2001.01.002

在0.4~0.6MPa氧压力,500和700℃下研究了某些金属元素对Ag-Sn合金内氧化速度的影响。还用SEM研究了Ag-6.5Sn-1.1Bi-0.6Cu合金内氧化层的微观结构。结果表明,氧化层厚度与时间成抛物线关系。添加金属元素对Ag-Sn合金的内氧化速度有明显的影响,易氧化金属元素能加速Ag-Sn合金内氧化氧化物以微细颗粒分布在银基体中,发现在晶界处有部分氧化物聚集,并且有2~5μm以某种氧化物为主的细小颗粒。

关键词: 金属元素 , Ag-Sn合金 , 氧化速度

Sn—SnO_x薄膜的组织结构及湿敏性

严百平 , 朱秉升 , 刘道新

材料研究学报

报道了一种制备Sn—SnOx湿敏薄膜的新工艺(VETO).首先在1mPa的真空下蒸发纯金属Sn质量分数999mg·g-1,衬底(Al2O3陶瓷基片)温度控制在150~250℃;蒸发的Sn膜在空气中缓慢氧化,即可获得湿度敏感的Sn—SnOx薄膜.利用XRD和SEM分析了膜的晶体结构和表面形貌环境湿度RH从11%变到97%肘,膜阻抗变化约三个量级,膜电导是电子电导和离子电导的混合.在低温区电子电导是主要的,在高温区离子电导占优势.

关键词: 蒸发 , null , null , null , null

原子层淀积制备金属氧化薄膜研究进展

卢红亮 , 徐敏 , 张剑云 , 陈玮 , 任杰 , 张卫 , 王季陶

功能材料

原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景.本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化薄膜制备上的研究进展.

关键词: 原子层淀积(ALD) , 金属氧化薄膜 , 高k材料

聚苯胺/金属氧化物复合导电薄膜的性能

马亚鲁 , 郑俊萍 , 马卫兵

高分子材料科学与工程

采用溶胶-凝胶法制备出聚苯胺/金属氧化物复合导电薄膜.通过添加TiO2、A12O3等金属氧化物粒子可改善导电薄膜材料的电导率和热稳定性.对于不加入金属氧化物粒子的薄膜材料热处理温度在80 ℃以上将使其导电性降低.而对于加入TiO2 0.15 g的试样其80 ℃热处理后的电导率则上升至1000S/m.

关键词: 聚苯胺 , 金属氧化 , 导电薄膜

Sn掺杂BZT薄膜性能研究

邓小玲 , 蔡苇 , 符春林 , 陈刚 , 郭冬娇

功能材料

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Sn掺杂Ba(Zr0.2 Ti0.8)O3 (BZT)薄膜.结果表明,掺锡的BZT薄膜为钙钛矿结构,当Sn掺量超过4%时,出现了第二相BaO;SEM观察发现掺锡BZT薄膜表面光滑平整,孔洞和裂纹较少;当Sn掺量达到8%时,BZT薄膜的介电常数达到最大值,而介电损耗最小;BZT薄膜的剩余极化强度为2.29μC/cm2,矫顽场强为10.36kV/cm.

关键词: BZT薄膜 , Sn掺杂 , 性能

金属及其氧化薄膜的制备与应用研究进展

阎鑫 , 张秋禹 , 卢锦花 , 赵雯 , 张军平 , 范晓东

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.04.034

铱及其氧化薄膜具有优良的耐腐蚀、抗氧化特性,同时也具有极好的电化学特性,这使它在电学、抗氧化涂层、催化领域都有广泛的应用.综述了近年来有关金属铱及其氧化薄膜的合成与制备技术的一些最新进展.总的来看,制备方法可分为物理法和化学法.其中物理法包括溅射法、激光熔蒸法;化学法包括金属有机化学沉积法、热分解法、电化学沉积法、溶胶凝胶法等,对各种制备方法进行了评述,同时对铱及其氧化薄膜的应用领域进行了综述,并对今后铱及其氧化薄膜的制备发展趋势进行了预测.

关键词: , 氧化 , 薄膜 , 制备 , 耐腐蚀 , 氧化

金属氧化物半导体薄膜气敏机理研究进展

李建昌 , 韩小波 , 姜永辉 , 巴德纯

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.015

气体传感器的核心介质为气敏薄膜,而薄膜本身的特性有关键的影响,主要体现在薄膜微观结构如晶粒尺寸、膜厚、空隙率和有效表面积等方面.溶胶-凝胶法由于有方法简单及成膜温度低等优点,得到了广泛研究与应用.本文综述了溶胶-凝胶法制备的金属氧化薄膜微纳结构与气敏机理进来的研究进展,结果表明最佳的晶粒尺寸约为10nm,最佳膜厚约为110 nm.在晶粒尺寸控制方面,通过控制煅烧温度与时间及在溶胶-凝胶过程中加入不同的添加剂,可有效优化晶粒尺寸提高灵敏度.最后,从能带结构角度总结了气敏传感器的电学特性及荷电传输机理,讨论了热电子发射理论和电子隧穿理论起主导作用时的薄膜微纳结构.

关键词: 金属氧化薄膜 , 半导体薄膜 , 气体传感器 , 溶胶-凝胶法

纳米金属颗粒分散氧化物Ag/NiO薄膜的制备与光吸收特性

陈灿 , 张波萍 , 焦力实 , 张海龙 , 张芸

稀有金属材料与工程

利用溶胶-凝胶法制备了纳米金属颗粒分散氧化物Ag/NiO复合薄膜,用X射线荧光光谱、X射线衍射分析、透射电子显微镜、紫外可见分光光度计表征了薄膜的成分、相结构、微结构以及光吸收特性.X射线衍射分析结果表明存在NiO相和单质Ag相.光吸收谱研究表明,Ag/NiO薄膜在410 nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰,随着Ag含量的增加,吸收峰变窄,蓝移,强度增加.当Ag含量接近41%(质量分数)时,Ag/NiO薄膜在414 nm波长附近表现的吸收峰呈现最大的吸收强度;当Ag分散颗粒的含量超过41%(质量分数)后,吸收峰的强度开始下降.随着保温时间的延长,薄膜的光学吸收峰的强度增强,并且吸收峰峰位向波长短的方向移动.

关键词: 纳米金属颗粒 , Ag/NiO , 表面等离子共振吸收 , 溶胶凝胶法

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