王明超
,
姚之晓
,
刘家荣
,
林鸿涛
,
王章涛
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0215
为研究画面闪烁与光照漏电流(Ioff-p)的关系,文章进行了一系列的实验.首先利用色彩分析仪(CA310)分别测试了3张面板正、反两面的闪烁.其次通过测量闪烁随背光源亮度的变化研究了其与光照的关系.同时还采用光敏放大器测试了面板正、反两面闪烁画面下的亮度信号,并给出了原理性解释.最后采用半导体参数设备对TFT进行了I-V特性测试.所有的实验结果均表明,Ioff-p过大能够导致像素电压无法有效保持,从而使正负帧的亮度产生较大差异,最后造成闪烁偏高.
关键词:
TFT-LCD
,
闪烁
,
光照漏电流
,
亮度
,
像素电压
林鸿涛
,
王明超
,
姚之晓
,
刘家荣
,
王章涛
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0567
画面闪烁是TFT-LCD的重要缺陷.文章通过一系列的实验,观察了Photo-Ioff、Vcom、Flicker、Vgs之间的关系,并给出了机理解释.Vgs的变化产生△Vp,导致Vcom的漂移,形成闪烁,但如果Vcom的均匀性较好,这种闪烁理论上可以通过Vcom调整消除.Photo-Ioff造成在正、负极性电压下像素的电压保持特性不同,引起Vcom进一步的漂移和闪烁.通过降低Photo-Ioff和提高Vgl,可以改善闪烁现象.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
闪烁
,
光照漏电流
,
公共极电压漂移
,
电压保持特性
喻娟
,
刘冬
,
徐利燕
,
林鸿涛
,
王贺陶
,
陈维涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163105.0449
基于挠曲电效应理论,本文对比研究了红、绿、蓝3种单色光对ADS模式TFT-LCD闪烁漂移的影响.主要考察了3种单色背光在能量相同以及不同亮度条件下的闪烁漂移和TFT光漏电流[Photo Ioff]特性.实验结果表明Ioff在正常范围内变化时,并不显著影响闪烁漂移量,初步认为:不同光照条件下离子的产生数量和产生速度差异是该条件下导致闪烁漂移的主要因素.
关键词:
单色光
,
闪烁漂移
,
TFT光漏电流
姚建可
,
许宁生
,
邓少芝
,
陈军
,
佘峻聪
,
王彬
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.018
采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si:H TFT阵列(20×20).用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si:H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si:H薄膜和n+a-Si:H薄膜的电导率.a-Si:H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以SiH和SiH2基团的形式存在,其电导率为8.2×10-7～8.8×10-6 S/cm;n+a-Si:H薄膜的电导率为3.8×10-3 S/cm.所制备的TF工具有以下性能:Ioff≈1×10-14 A,Ionn≈1×10-9 A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5 V,μ≈0.113cm2/(V·s),S≈2.5 V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求.
关键词:
塑料基底
,
a-Si:H TFT
,
柔性显示
林致远
,
杨成绍
,
邹志翔
,
操彬彬
,
黄寅虎
,
文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0370
通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响.实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40％.推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低.对于H ADS产品,倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)可以具有更好的TFT特性表现.对现行HADS结构,在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低;对于倒反HADS结构,沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响.对于Poole-Frenkel区域,现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者较低Ioff[Vg=-20 V],下降达50％,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响.
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
,
非晶硅
,
薄膜电晶体
,
Poole-Frenkel
张家祥
,
王彦强
,
卢凯
,
张文余
,
王凤涛
,
冀新友
,
王亮
,
张洁
,
王琪
,
刘琨
,
李良杰
,
李京鹏
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0433
本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究.与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,Ioff偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性.增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使Ion和Ioff同时降低;PVX沉积前处理气体N2+NH3与H2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件.
关键词:
沟道界面
,
漏电流
,
Al电极
,
TFT特性
李婧
,
张金中
,
谢振宇
,
阎长江
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0547
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx∶H和a-Si∶H薄膜.通过电学、光学、力学测试研究了SiNx∶H薄膜沉积条件对其界面性能的影响.研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性.当SiH4和NH3气体流量比值为7∶15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×10 7.适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5 W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力.优化SiNx∶H的沉积参数,开关比可以提高5.5倍.
关键词:
SiNx∶H界面态
,
Si/N
,
开关比
,
TFT特性
宋林
,
徐征
,
赵谡玲
,
张福俊
,
黄金昭
,
黄金英
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.007
有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件.为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善.文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管,其阈值电压为-4.5 V,场效应迁移率0.025 cm2/V·s,开关电流比Ion/Ioff达到9.8×103,与单栅有机薄膜晶体管相比,双栅器件在更低的操作电压下获得了更大的输出电流,场效应迁移率更高,而且通过对两个栅压的调节,对导电沟道实现了更好的控制,器件性能有了较大的提高.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
双栅
,
酞菁铜
李田生
,
谢振宇
,
张文余
,
阎长江
,
徐少颖
,
陈旭
,
闵泰烨
,
苏顺康
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122704.0493
为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔 (VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察了影响过孔大小的钝化层的主要影响因素(黑点、倒角、顶层钝化层沉积厚度,顶层钝化层沉积压力),得出了在不改变原有刻蚀方式基础之上使过孔的尺寸降低20％～30％的优化方案,并对其进行了电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、Mobility:迁移率),从而获得了较佳的减小过孔尺寸的方案,提高了产品品质.
关键词:
钝化层
,
刻蚀
,
过孔
李田生
,
谢振宇
,
李婧
,
阎长江
,
徐少颖
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0720
TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的过孔发黑(黑点)问题尤为突出,严重影响了产品的良率,降低了产品的品质,文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的问题,而是有源层刻蚀工艺所导致的,并有针对性地进行了试验设计,分别考察了有源层刻蚀条件、附加一步刻蚀方式对黑点不良的解决效果,根据实验效果附加一步刻蚀方式完美地解决了黑点不良问题,从而将产品的良率提升了3％～4％,而电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、迁移率)和正常条件相比没有异常,从而获得了最终完美的解决该不良的方案,提高了产品品质.
关键词:
有源层
,
刻蚀
,
黑点
