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制备条件对Sb/SnO2超细粉水分散性的影响

李青山 , 张金朝 , 宋鹂 , 王俊

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2003.11.013

采用球磨分散的方法制得了Sb/SnO2超细粉水分散体系.通过测定分散体系的Zeta电位和沉降率详细考察了分散体系pH值、掺锑浓度和加热温度对Sb/SnO2超细粉水分散性的影响规律.结果表明,制备条件通过控制粒子表面状态、化学构成和晶体完整性等影响SbSnO2超细粉的分散性.Sb/SnO2超细粉的等电点为1.8左右.制备稳定性高、分散效果好的Sb/SnO2超细粉水分散体系的合适条件的pH值为10.0~11.5、n(Sb)/n(Sn)为0.04~0.19,加热温度为800℃左右.

关键词: Sb/SnO2超细粉 , 分散性 , 制备条件

热处理气氛和温度对SnO2:Sb超细粉的影响

田甜 , 张金朝 , 宋鹂

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.03.011

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用共沉淀法分别制得了纳米级的SnO2:Sb,Sb2O3和SnO2超细粉,并选取工业用Sb2O3粉末作为参比,运用X射线衍射(XRD)、Leitz多功能显微镜、电阻测试等测试方法对粉末进行了表征,比较系统地研究了热处理气氛和温度对粉末物相和电阻的影响.

关键词: SnO2:Sb超细粉 , 热处理 , 粉末特性

SnO2纳米颗粒制备及其对溶胶-凝胶Sb:SnO2薄膜性能的影响

王黎 , 周嶅 , 毕文跃

功能材料

以Sn(OEt)2为起始原料,采用水热晶化法合成了分散性良好的金红石结构的SnO2纳米颗粒.采用X射线衍射对其进行了表征,表明SnO2纳米颗粒的结晶性良好,颗粒尺寸小于10nm.将合成的SnO2纳米颗粒均匀分散到Sb:SnO2镀膜液中,经陈化后制成镀膜溶胶,以溶胶-凝胶浸渍镀膜工艺制备纳米颗粒掺杂Sb:SnO2薄膜.分别采用范德堡(Van Der Pauw)法、UV/VIS分光光度计和FTIR中红外分析仪测量并分析膜层的导电性能、光学性能及结构特征,研究了导电纳米颗粒添加对Sb:SnO2薄膜电性能、光学性能和结构的影响.

关键词: 水热合成 , SnO2纳米颗粒 , Sb:SnO2薄膜 , 溶胶-凝胶

SnO2Sb/SiO2复合薄膜的制备与光学性能

王贺 , 魏长平 , 彭春佳 , 程果 , 李丛昱

硅酸盐通报

采用溶胶-凝胶结合旋涂技术在玻璃基底上制备了SnO2Sb/SiO2复合薄膜,利用XRD、FT-IR、SEM、椭偏仪、分光光度计等方法对薄膜样品进行了系统地表征.结果表明:经过热处理后样品生成了SnO2Sb和SiO2∶薄膜具有双层结构,上层SiO2厚度约105nm,折射率为1.352,底层SnO2Sb厚度约1200 nm,折射率为1.91;优化工艺条件下SnO2Sb/SiO2复合薄膜的性能优于SnO2Sb薄膜,在相同情况下SnO2Sb/SiO2复合薄膜对可见光的透过率大于SnO2Sb薄膜,这是因为上层SiO2薄膜折射率较低,与底层高折射率SnO2Sb薄膜共同构成减反射膜系,提高了膜系的可见光透过率.相比于单层SnO2Sb膜,在可见光部分增透率大于4.5%,近红外波段的增透率小于1.0%,基本保持原有导电膜的低红外辐射特性,并提高了可见光透过率.

关键词: 溶胶-凝胶 , SnO2Sb , SiO2 , 复合薄膜 , 透过率

SnO2纳米棒负载Pd-Sb催化甲酸电氧化

何乌日嘎木拉 , 李宏霞 , 石乐乐 , 陆航 , 张益佳 , 孙丽美

贵金属

采用溶剂热法制备了SnO2纳米棒载体,用溶剂热还原法制备了Pd/SnO2催化剂和不同Pd/Sb原子数比的系列PdSb/SnO2复合催化剂.用XRD、SEM、TEM、EDS等手段对样品进行分析表征,并以循环伏安法对比评价催化剂对甲酸的电催化氧化性能.表征结果表明,制备所得SnO2纳米棒载体为针状,大小均匀,平均直径为100 nm;负载所得催化剂中活性粒子大小约为13.5 nm,掺杂Sb后,粒径约为9.5 nm.电催化氧化性能对比结果表明,Pd/Sb原子数比为4:1的Pd4Sb/SnO2复合催化剂对甲酸的氧化具有较好的催化能力,当E=0.25 V(vs SCE)时,Pd4Sb/SnO2上甲酸氧化的峰电流密度达到25 mA/cm2,远远高于Pd/SnO2催化剂.

关键词: 催化化学 , 直接甲酸燃料电池 , SnO2纳米棒 , ,

退火处理对SnO2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响

王玉恒 , 马瑾 , 计峰 , 余旭浒 , 马洪磊

稀有金属材料与工程

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响.制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110).室温下光致发光测量首次观测到392 nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究.

关键词: 射频磁控溅射法 , SnO2:Sb薄膜 , 光致发光

Fe掺杂钛基SnO2/Sb电催化电极的制备及表征

张翼 , 刘蕾 , 孙晓东 , 张荣庆 , 王磊

材料保护

为了改进钛基SnO2/Sb电极的电催化性能,采用高温热氧化法制备了Fe掺杂钛基SnO2/Sb 电极.采用SEM、EDX以及XRD等方法对所制备电极的表面形貌、元素组成及结构进行分析,并以苯酚为目标有机物,研究了所制备电极对有机污染物的电催化降解能力.结果表明,适量Fe的掺杂有利于晶粒细化和导电性的提高;但过量Fe的掺杂可能导致SnO2晶格的混乱程度增大,甚至使晶格破坏,从而使电极性能降低;掺杂0.5%Fe的SnO2/Sb电极对苯酚的降解效果优于未掺杂Fe的电极;电解3 h后,苯酚去除率和化学需氧量(COD)去除率分别达到100.0%和92.0%.

关键词: SnO2/Sb电极 , Fe , 电催化 , 苯酚

共沉淀条件对纳米级Sb/SnO2粒度和电性能的影响

李青山 , 张金朝 , 宋鹂

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2002.02.014

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用共沉淀法制得了纳米级SnO2超细粉.运用DSC-TG、XRD和TEM等观测手段对微粉末进行了表征.比较系统地研究了共沉淀温度和pH值对粉末颗粒度和电阻的影响规律.研究结果表明,合成的纳米级Sb/SnO2粉体粒度分布比较均匀、分散性较好,具有金红石结构;共沉淀温度对Sb/SnO2微粉末的粒度和电导性能影响较小,合适的共沉淀温度为45~70 ℃;粉末粒度在pH为4~6之间出现1个极大值,该pH值下所对应的粉末电阻较小,同时考虑pH值对粒度与电性能的影响,最佳pH值范围为3~5.

关键词: 纳米级Sb/SnO2导电粉 , 共沉淀温度 , pH值 , 微粉末特性

Sb掺杂SnO2纳米粉体的结晶行为和电学性能

张建荣 , 顾达 , 杨云霞

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2002.06.010

采用非均相成核法制备了Sb掺杂的SnO2(ATO)纳米粉体. 研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系. 应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能. 结果表明,晶粒生长分为2个阶段 ,其活化能分别为21.94和4.52 kJ/mol.

关键词: SnO2 , 掺锑 , 纳米粉体 , 结晶行为 , 电学性能

常压CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的性能研究

邢帅 , 刘钟馨 , 姜宏 , 熊春荣

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.08.005

以C4 H4 SnCl3和SbCl3为反应先驱体,采用常压化学气相沉积法制备Sb掺杂SnO2薄膜,研究了薄膜沉积时间、基板温度以及Sb掺杂量对薄膜结构和红外反射性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等手段对所制备薄膜的结构、形貌、成分进行了分析表征.XRD结果表明薄膜具有四方相金红石晶型结构,在基板温度为650℃时能制得结晶性能较好的多晶薄膜;XPS结果表明元素Sb主要以Sb5+的形式掺杂于SnO2薄膜中.还讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率等薄膜性质的影响.结果表明,当Sb掺杂量为2%,基板温度为600℃,镀膜时间为4 min时可制备出可见光透过率为75%、红外透过率仅为30%的薄膜,且此时薄膜方块电阻为38.4 Ω/□.

关键词: 化学气相沉积 , 薄膜 , 掺杂量 , 基板温度

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