吴宪君
,
徐家跃
,
金蔚青
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.017
采用坩埚下降法成功生长了铁电锗酸铅(Pb5Ce3O11)单晶.所用Pt坩埚尺寸为φ25mm × 200mm和φ10mm×60mi,炉温控制在高于熔点50～80℃,固液界面温度梯度小于25℃/cm,生长速率小于0.5mm/h.所得晶体呈浅棕色,最大尺寸达φ25mm×60mm.采用光学显微镜(OM)及电子探针(EPMA)研究了所得晶体的生长缺陷(气泡、包裹体等),讨论了产生这些缺陷的原因,提出了控制及减少此类缺陷的方法.
关键词:
锗酸铅单晶
,
坩埚下降法
,
晶体生长
,
缺陷
洪勇
,
金蔚青
,
潘秀红
,
依田真一
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00335
利用实时观察方法对锗酸铅晶体生长枝蔓晶的生长过程进行了描述和分析. 发现, 枝蔓晶的产生与杂质相关, 杂质作为一个成核中心, 在其周围存在一个溶质扩散层, 这个溶质扩散层的厚度随着晶体生长而增大. 当该扩散层的厚度超过某个临界值时, 出现枝蔓晶生长, 溶质扩散层的临界厚度约为12μm. 枝蔓晶主干的生长速度受分支出现以及主干转向的影响.
关键词:
氧化物晶体
,
null
,
null
,
null
洪勇
,
金蔚青
,
潘秀红
,
依田真一
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.012
利用实时观察方法对锗酸铅晶体生长枝蔓晶的生长过程进行了描述和分析.发现,枝蔓晶的产生与杂质相关,杂质作为一个成核中心,在其周围存在一个溶质扩散层,这个溶质扩散层的厚度随着晶体生长而增大.当该扩散层的厚度超过某个临界值时,出现枝蔓晶生长,溶质扩散层的临界厚度约为12μm.枝蔓晶主干的生长速度受分支出现以及主干转向的影响.
关键词:
氧化物晶体
,
生长缺陷
,
实时观察
,
枝蔓晶
张亚萍
,
席珍强
,
张瑞丽
,
张秀芳
,
孙法
材料导报
锗单晶材料由于独特的性能而被广泛应用于微电子技术、红外技术、核探测、太阳电池等多个领域.简要介绍了直拉生长的工艺及特点,无位错直拉锗单晶的生长与现状,以及锗单晶材料在不同领域的应用和发展.
关键词:
锗
,
单晶
,
直拉法
罗星
,
张泽彪
,
彭金辉
,
王万坤
,
姚现召
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.02.025
含锗渣是锌湿法冶炼的中间产物,其主要物相为硫酸铅,并富集了大量的锗.为了最大限度的浸出锗,从含锗渣的组成和性质出发,利用锗的一些化合物能够溶于酸中,采用拌酸-熟化-洗涤工艺浸出锗,获得了含锗762 mg·L-1的浸出液.重点研究了加水量、拌酸量、熟化温度和熟化时间对锗浸出率的影响,实验结果表明:拌酸熟化最佳加水量和酸量都为渣重的50％,熟化温度80℃,熟化时间3h,在此条件下锗浸出率为71.6％,此工艺具有浸出率高、流程短、易过滤等特点.
关键词:
锗
,
拌酸熟化
,
浸出
,
洗涤
张兴丽
,
孙兆伟
,
孔宪仁
,
吴国强
稀有金属材料与工程
采用非平衡分子动力学(NEMD)方法研究平均温度为400 K,厚度d=2.8288～11.315 nm的单晶锗薄膜法向的热导率.模拟结果表明,单晶锗薄膜热导率随薄膜厚度的增加以接近线性的规律增加,其数值明显低于同等温度下体态锗的试验值.当薄膜厚度一定时,单晶锗薄膜的热导率随温度增加变化幅度很小,与同体态锗热导率随温度的变化规律相比表现出明显的尺寸效应.
关键词:
热导率
,
分子动力学
,
单晶锗薄膜
,
尺寸效应
冯德伸
,
李楠
,
苏小平
,
杨海
,
闵振东
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.007
采用直拉法生长 4 英寸低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求.
关键词:
4英寸锗单晶
,
温度梯度
,
缩颈
,
工艺参数
,
位错密度
冯德伸
,
苏小平
,
闵振东
,
尹士平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.05.025
采用直拉法成功拉制直径300 mm红外锗单晶, 讨论了热场温度梯度、拉晶工艺参数以及浮渣对拉晶的影响, 测量了单晶电阻率、红外透过率和断裂模量, 结果表明单晶满足红外光学系统的使用要求.
关键词:
Φ300 mm红外锗单晶
,
热场
,
工艺参数
,
浮渣
,
性能测试
马红萍
,
邹凤楼
,
祝邦文
,
陈冰
稀有金属材料与工程
制备了一种新的Yb3+掺杂镓铅锗玻璃,测试了吸收光谱和荧光光谱,研究了基质材料的热稳定性能,计算了光谱和激光性能参数.发现Yb3+掺杂镓铅锗玻璃具有较好的热稳定性能(△T=198℃),高的受激发射截面(0.79 pm2)和长的荧光寿命(1.46 ms).与其它Yb3+掺杂基质玻璃相比,Yb3+掺杂镓铅锗玻璃具有更好地激光性能参数和激光性质,表明Yb3+掺杂镓铅锗玻璃是一种新型的Yb3+掺杂包层光纤激光器潜在的基质材料.
关键词:
Yb3+掺杂
,
镓铅锗玻璃
,
物理性质
,
光谱性质
