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硅烷浓度对微晶硅太阳电池的影响

高艳涛 , 张晓丹 , 朱锋 , 魏长春 , 孙建 , 赵颖

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.019

采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响.结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开路电压随硅烷浓度的提高而增加,这些变化来源于有源层材料结构的改变.电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响,但受前电极的影响很大.不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区,但对应电池的晶化率不同.另外,研究结果也给出非晶/微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降低向高硅烷浓度方向转移.

关键词: 甚高频等离子化学气相沉积 , 微晶硅太阳电池 , 硅烷浓度

HWCVD在玻璃衬底上沉积硅薄膜的研究

张俊丽 , 傅杰财 , 郭小松 , 刘滨 , 谢二庆

材料导报

采用热丝化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积硅薄膜,采用扫描电子显微镜、拉曼光谱分析表征样品的形貌和结晶性,较为系统地研究了硅烷浓度、衬底到热丝的距离对硅薄膜生长过程及各种性质的影响,结果表明,较高的衬底温度及较低的硅烷浓度有利于薄膜的结晶.

关键词: 热丝化学气相沉积 , 硅薄膜 , 硅烷浓度 , 衬底与热丝距离 , 衬底温度

用于HIT太阳能电池的非晶硅薄膜制备与性能研究

齐晓光 , 雷青松 , 杨瑞霞 , 薛俊明 , 柳建平

人工晶体学报

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术(RF-PECVD),在不同硅烷浓度下制备本征非晶硅薄膜,研究薄膜材料的微结构和光电性能.研究表明,在硅烷浓度为5%时,制备的薄膜材料处于非晶/微晶相过渡区域,具有宽光学带隙、低吸收系数、较高电导率和较好的致密性.作为钝化层应用到HIT太阳电池中,具有良好的钝化效果,在n型单晶硅衬底上制备出了效率为13.92%的太阳电池.

关键词: RF-PECVD , 非晶硅薄膜 , 硅烷浓度 , HIT太阳电池

VHF-PECVD法制备氢化硅薄膜及单结电池

吴志猛 , 雷青松 , 赵颖 , 耿新华 , 奚建平

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.029

利用VHF-PECVD分解硅烷和氢气的混合气体来制备本征微晶硅薄膜.运用拉曼散射和X射线衍射研究了不同硅烷浓度对薄膜的影响.随着硅烷浓度的增加,沉积速率和光敏性增加而晶化率下降.将优化的本征材料应用到pin电池中,得到本征层厚度约为1μm的微晶电池,效率达5.87%.

关键词: 微晶硅 , 硅烷浓度 , 太阳电池

优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响

张晓丹 , 赵颖 , 高艳涛 , 朱锋 , 魏长春 , 孙建 , 耿新华 , 熊绍珍

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.039

本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池.电池的Ⅰ-Ⅴ测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加.文中对具体内容进行了详细的分析.

关键词: 微晶硅薄膜太阳电池 , 气体流量 , 硅烷浓度

硅烷偶联剂浓度对再生塑料混凝土力学性能影响

王磊 , 何晔 , 朱生晖

硅酸盐通报

硅烷偶联剂浓度对改性再生塑料混凝土的力学性能影响较大.本实验通过选取不同浓度硅烷溶液来处理再生塑料颗粒,并将其掺入混凝土中,制成所需规格的试件,测定其立方体抗压强度、劈裂抗拉强度、轴心抗压强度以及抗折强度.实验结果显示,再生塑料颗粒含量较少时,硅烷浓度对力学性能影响不大;随着再生塑料颗粒含量越多,硅烷浓度对力学性能影响越大,且硅烷浓度大于1%时其力学性能增大幅度最大,之后随浓度增加基本保持不变.

关键词: 硅烷偶联剂浓度 , 改性再生塑料颗粒 , 混凝土 , 力学性能

季铵碱树脂催化三甲氧基硅烷制备甲硅烷

杨恺 , 安茂忠 , 杨春晖 , 张磊 , 胡成发 , 葛士彬

材料科学与工艺

为制备高纯度甲硅烷气体,用强碱性季铵碱阴离子交换树脂催化三甲氧基硅烷溶液进行歧化反应.采用脉冲放电氦离子化检测器测试粗甲硅烷气体,用气相色谱-质谱联用仪、感应耦合等离子体质谱仪测试精馏提纯的副产物四甲氧基硅烷.实验结果表明:在30~50℃和0.2~0.3 MPa条件下反应制备的粗甲硅烷气体中,H2、O2、Ar、N2、CH4的质量浓度分别为221.12、1.76、1.61、17.97、0.15μg/L,纯度达到99.9%;副产物四甲氧基硅烷中,金属杂质总质量浓度低于0.15μg/L,可用来制备高纯度硅溶胶;季铵碱催化三甲氧基硅烷歧化反应,反应条件温和,三甲氧基硅烷转化率96%,硅烷产率95%.催化剂易于购买,采用固定床反应器易于控制反应,易于连续加料,此工艺具有工业化生产价值.

关键词: 季铵碱 , 阴离子交换树脂 , 三甲氧基硅烷 , 硅烷

铝合金表面新型硅烷膜的制备及表面形貌研究

汪亮 , 宣天鹏 , 周赟 , 张万利

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.03.004

通过正交试验确定了铝合金表面硅烷膜技术的最佳工艺参数.在基础配方上制备了硅烷膜,利用硫酸铜点滴试验评价了工艺参数,结果表明,水解温度、硅烷浓度、醇水比及pH主要影响了硅烷溶液的水解与缩合反应.分析了硅烷膜的表面形貌、初步探讨了硅烷膜的耐腐蚀性能,结果表明,硅烷膜均匀、致密,具有比铬酸盐钝化更优的防护作用.

关键词: 铝合金 , 硅烷 , 铬转化 , 耐腐蚀

铝合金低乙醇含量硅烷化处理技术的研究

张琳琳 , 王修春 , 牛玉超 , 伊希斌 , 潘喜庆 , 王金伟

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.003

目的:对硅烷偶联剂KH-550硅烷化改性铝合金的工艺进行优化,在不影响膜层性能的前提下,创新性降低乙醇含量,以满足工业化生产中安全、低成本的需求。方法采用单因素变量法,研究硅烷溶液中硅烷和乙醇的浓度、固化温度及固化时间等因素对硅烷膜耐蚀性的影响,由此确定最佳配方工艺,并分析硅烷膜的表面形貌、成分及疏水性。结果采用硅烷、去离子水、乙醇体积比为5:55:40的硅烷溶液,涂膜后,在180℃下加热40 min,能得到较完整均匀、耐蚀性较好的硅烷膜,膜层由C,O,Si等元素组成。硅烷浓度硅烷膜的耐蚀性及表面接触角影响较大,在最佳工艺下获得的硅烷膜表面接触角可达70.2°。结论硅烷膜对铝合金基体具有一定的屏障作用,保护基体免受腐蚀。

关键词: 铝合金 , 硅烷化处理 , 耐蚀性

硅烷气相接枝水解交联聚丙烯

胡淼 , 王正洲 , 瞿保钧

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2006.04.001

采用气相接枝方法研究了硅烷交联聚丙烯材料.探讨了在过氧化物作用下乙烯基三甲氧基硅烷(VTMS)气体在聚丙烯粉末表面进行气相接枝反应的机理,及引发剂过氧化二异丙苯(DCP)和VTMS单体浓度硅烷接枝率和水解交联产物凝胶含量的影响.用富里叶变换红外光谱(FTIR)和富里叶变换红外光声光谱(FTIR-PAS)对反应产物进行了分析.结果表明,单体和引发剂在聚丙烯中的扩散情况对硅烷接枝率存在较大影响.增加引发剂和硅烷单体的用量,硅烷的接枝率上升,其增加趋势在单体浓度为0.026 mol/L和引发剂质量分数大于0.6%后逐渐变缓.

关键词: 聚丙烯 , 气相接枝 , 硅烷交联

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