邹正光
,
谢春艳
,
龙飞
,
高洁
,
吴一
稀有金属材料与工程
以乙二胺为溶剂采用微波溶剂热法合成铜铟镓硒(CIGS)粉体,研究了反应温度、表面活性剂对合成产物物相及形貌的影响.采用X射线衍射仪、扫描电镜及X射线能谱仪对产物的物相、形貌及组成进行表征.结果表明:在反应温度为230℃(反应时间为2 h)条件下可以获得物相单一,颗粒尺寸较小的CIGS粉体.在基准溶液中加入表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)后对合成产物形貌有明显改善作用,粉体分散性较好,呈圆球状且粒径较小,为100～200 nm.
关键词:
溶剂热
,
铜铟镓硒
,
粉体
,
表面活性剂
李丽丽
,
丁铁柱
,
何杰
,
韩磊
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.05.014
采用脉冲激光溅射沉积法( PLD)制备了Cu - In - Ga双层预制膜,通过固态源硒化后热处理的方法获得了CuInl - xGaxSe2(CIGS)薄膜,研究制备预制膜的工艺参数以及热处理温度对CIGS薄膜特性的影响.采用台阶仪、SEM、EDS、XRD和紫外分光光度计研究了薄膜的厚度、表面形貌、成分、物相结构以及光学带隙.得到了制备具有较好光学性能CIGS薄膜的优化条件为:Cu、In、Ga的原子含量比为nCu/(nIn+nGa)=0.98,nGJ(nIn+nGa)=0.28,硒化温度250℃,硒化时间60min,热处理温度为550℃,在此优化条件下得到的薄膜光学带隙为1.43eV,XRD表明CIGS薄膜是单一黄铜矿薄膜.
关键词:
PLD
,
CuIn1-xGaxSe2
,
热处理温度
向卫东
,
杨海龙
,
王京
,
赵寅生
,
钟家松
,
赵斌宇
,
骆乐
,
谢翠萍
材料导报
介绍了CuIn(Se,S)2纳米材料的晶体结构和性质,以及热注入法的原理和特点.重点论述了近年来国内外采用热注入法制备不同形貌和结构CuIn(Se,S)2纳米材料的研究进展,概括了其反应机理和影响因素.综述了CuIn(Se,S)2纳米材料在太阳能电池、QD-LED及生物标记上的应用.探讨了目前存在的问题及今后的研究方向.
关键词:
热注入法
,
CuIn(Se,S)2
,
纳米材料
,
太阳能电池
周其刚
,
王为民
,
龙飞
,
傅正义
,
王皓
,
王玉成
,
张金咏
稀有金属材料与工程
以Cu,In,Ga,Se单质为原料用自蔓延高温合成法制备CuIn0.7Ga0.3Se2粉末.通过X射线衍射、光电子能谱、能量散射X射线分析、激光拉曼光谱等分析方法对产物的组成、结构和成分进行表征.结果表明,反应物投料比例,合成气氛压力等因素对合成产物化学计量配比有显著的影响.利用自蔓延高温合成方法可以获得精确化学计量配比、单相黄铜矿结构的CuIn0.7Ga0.3Se2.
关键词:
CIGS
,
自蔓延高温合成
,
成分分析
李庆阳
,
安茂忠
,
杨培霞
,
张锦秋
电镀与涂饰
介绍了包括多步法、顺序沉积法以及一步法在内的几种用于制备太阳能电池的CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)吸收薄膜的电化学沉积技术,特别是基于水溶液体系、有机溶液体系下电化学沉积的研究进展,较为详尽地介绍了离子液体体系下电沉积CIGS前驱体膜的研究现状,并对其发展趋势进行了展望.
关键词:
铜铟硒
,
铜铟镓硒
,
电沉积
,
水溶液
,
有机溶剂
,
离子液体
,
太阳能电池
,
吸收薄膜
王星星
,
张福勤
,
周俊
,
郑吉祥
,
黎炳前
,
刘怡
中国有色金属学报
封装石英管真空熔炼合成CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)块体,再采用电子束蒸镀此块体,制备用于太阳电池吸收层的CIGS薄膜,然后对薄膜进行不同温度的真空退火处理.分别采用XRD、EDS、SEM及光谱分析等方法,研究CIGS块体和退火薄膜的表面形貌、晶体结构、成分或者光电性能.结果表明:在1200℃、保温2h后,采用真空熔炼获得结晶性能较好、单一黄铜矿结构的CuIn0.7Ga0.3Se2块体.随着退火温度的升高,薄膜中In-Se杂质相分解,从而获得单一相的CIGS薄膜;并且颗粒不断长大,达到1.0～3.5 μm;成分和光学禁带不断得到优化.600℃退火薄膜是比较符合理想太阳电池要求的吸收层材料.
关键词:
太阳电池
,
CuIn07Ga0.3Se2
,
真空熔炼
,
电子束蒸镀
,
退火处理
周红
,
应鹏展
,
崔教林
,
王晶
,
高榆岚
,
李亚鹏
,
李奕沄
稀有金属材料与工程
利用放电等离子烧结技术制备了宽带隙三元半导体化合物CuIn5Se8,并对其热电性能进行了研究.物相分析表明,化合物为单相CuIn5Se8,带隙宽度为1.13 eV,比In2Se3合金的低.电学性能测试结果表明,随温度升高Seebeck系数绝对值从370.0 μV·K-1降低到263.0 μV·K-1,而电导率则随温度迅速增大.在818 K时,其电导率达到最大值2.92× 103 Ω-1·m-1,热导率为0.50 W.K-1·m-1,最高热电优值ZT值达到0.33.
关键词:
CuIn5Se8
,
宽带隙半导体
,
热电性能
房文健
,
刘永生
,
杨晶晶
,
方津
,
彭麟
,
杨正龙
材料科学与工程学报
综述了CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)的晶体结构、光学性质和电学性质,介绍了其禁带宽度、导电类型、吸收系数、晶界面复合速率和少子寿命等重要参数.重点介绍了利用磁控溅射系统制备CIGS薄膜的两种制备工艺:磁控溅射金属预制层硒化法和单步溅射法；综述了非真空制备工艺中常用的电化学沉积法.分析了CIGS现存问题:制备工艺复杂、成本高,稀有金属In、Ga的短缺；并提出了相应的解决措施及发展趋势.
关键词:
铜铟镓硒
,
结构性质
,
磁控溅射
,
电化学沉积法
吴崇试
,
潘奕
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.01.001
系统分析了A≈170区正常形变带[521]1/2-中的ΔI=1颤动现象. 根据旋称伙伴带的跃迁能量提取Δ2 Eγ (I)=[Eγ(I)+Eγ(I-2)]/2-Eγ(I-1)值, 表现出旋称相关的规则上下颤动. 其颤动幅度在低自旋端约为50 keV, 而后随自旋而增大或减小, 大体呈抛物线形. 利用改进的ab公式, 提取了相关的脱耦合系数. 运用Nilsson波函数, 探讨了原子核集体哈密顿量中高阶微扰项的可能形式.
关键词:
正常形变带
,
旋称伙伴带
,
ΔI = 1颤动
,
脱耦合效应
,
改进的ab拟合
马贵军
,
雷志斌
,
鄢洪建
,
宗旭
,
李灿
催化学报
采用乙二胺为溶剂,硫粉为硫源,在高压反应釜中于200 ℃合成了纳米尺度的CuInS2-ZnS四元硫化物固溶体. 对产物的晶相转变研究发现, ZnS中引入少量In3+离子即可使ZnS由立方相转变为六方相,而且随着In3+引入量的增加, ZnS的粒径逐渐减小. 在可见光(λ>420 nm)照射下,对不同x值的(CuIn)xZn2(1-x)S2固溶体催化剂的光催化活性考察发现, (CuIn)0.09Zn1.82S2催化剂在含有S2--SO2-3牺牲试剂的水溶液中表现出最高的光催化分解水产氢活性. 循环实验表明,该催化剂反应 20 h 后光催化活性没有明显降低.
关键词:
硫化锌
,
固溶体
,
溶剂热
,
晶相
,
光催化
,
氢气
